Количество: 1
Адрес: Проспект Чуй 28/1 (0 этаж)Режим: Пн-Сб 9:30 - 18:00 (Вс Выходной)Написать на WhatsAppПозвонить: 0 (705) 60-33-00
Модуль памяти FRAM MB85RC256V (32КБ, чтение/запись 10 триллионов раз)
Артикул: -
Модуль памяти FRAM MB85RC256V (32КБ, чтение/запись 10 триллионов раз)
Категории:Модули
Краткое описание:Микросхемам энергонезависимой сверхбыстрой оперативной памяти FRAM.
Описание
Модуль с микросхемой сверхбыстрой оперативной памяти FRAM MB85RC256V объёмом 32КБ (256 Кбит), которая не теряет записанные данные при отсутствии питания. Данная технология является достойной заменой микросхемам энергонезависимой памяти, однако она быстрее и долговечнее. Модуль подключается через интерфейс I2C с максимальной частотой 1 МГц.
Особенности:
- Память FRAM энергонезависима и может быть легко прочитана/записана 10 триллионов раз.
- Она похожа на динамическое запоминающее устройство с произвольным доступом (DRAM), с сегнетоэлектрическим слоем вместо диэлектрического слоя.
- Данная память особенно подходит для использования с маломощными регистраторами данных и для буферизации данных при отсутствии стабильного источника напряжения.
- Каждый байт может быть прочитан и записан мгновенно, при комнатной температуре он сохранит память в течение 95 лет.
Характеристики:
- Конфигурация памяти: 256 Кбит (32768 слов x 8 бит)
- Напряжение питания: от 2.8 В до 5.5 В
- Максимальная частота интерфейса: 1 МГц
- Интерфейс подключения: I2C-bus спецификация v2.1
- Совместимость интерфейса: Standard-mode/Fast-mode/Fast-mode+
- Адрес по умолчанию: 0x50 (I2C)
- Рабочий температурный диапазон: -40 ... +85 °C
- Время хранения данных: 10 лет (до +75 °C)
- Циклов перезаписи: 1012
- Корпус микросхемы: SOP-8
- Потребляемый ток:
- Рабочий режим: 0.20 мА (400 кГц)
- Режим ожидания: 27 μA
- Размеры модуля: 20x15x3 мм
Закрыть окно
(Окно закроется через сек.)